產(chǎn)品介紹
設(shè)備采用公司自主可控的氣體分配系統(tǒng)技術(shù)，支持片狀加熱或鎢絲加熱，基底表面工作溫度可達(dá)1200℃以上。同時(shí)采用先進(jìn)的反應(yīng)腔與控制系統(tǒng)，在8英寸大尺寸基底上實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的膜厚與波長(zhǎng)均勻性（±1%以內(nèi)）。采用MO源與反應(yīng)腔氣體分離輸送的技術(shù)，便于將來(lái)升級(jí)換代；關(guān)鍵組件均為自主設(shè)計(jì)、國(guó)內(nèi)生產(chǎn)制造，維護(hù)保養(yǎng)成本低。設(shè)備可選在線紅外測(cè)溫系統(tǒng)與機(jī)械手自動(dòng)取放系統(tǒng)，減少薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的人為因素干擾。該設(shè)備具有薄膜質(zhì)量高、自動(dòng)化程度高、升降溫速率快等優(yōu)點(diǎn)，科研院所及企業(yè)研發(fā)的理想產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域：2D電子材料WS2，MoS2，藍(lán)光LED、綠光LED、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體探測(cè)器等化合物半導(dǎo)體材料。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

* 極高氣體流程均勻性和重復(fù)性
* 基底表面工作溫度可達(dá)1200℃以上
* 可實(shí)現(xiàn)高速、高質(zhì)量WS2,MoS2,GaN,SiC等材料生長(zhǎng)